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其他實(shí)驗氣氛爐
化學(xué)氣相沉積爐(CVD系統)
這款CVD系統集真空管式爐,多通道氣路系統和真空系統組成,可根據用戶(hù)需要設計生產(chǎn)(有雙溫區、三溫區、多溫區),可預抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統有質(zhì)子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠??刂齐娐愤x用模糊PID程控技術(shù),具有控溫精度高,溫沖幅度小,性能可靠,簡(jiǎn)單易操作等特點(diǎn)。
產(chǎn)品分類(lèi)
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品牌 | HAOYUE/皓越 |
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一、產(chǎn)品應用
高真空CVD系統是一款專(zhuān)業(yè)在沉底材料上生長(cháng)高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設備,廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領(lǐng)域。
CVD系統
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動(dòng)化控制系統、冷卻系統等組成。 1、沉底材料可采用銅箔、石墨等; 2、生長(cháng)腔體采用進(jìn)口高純石英管,配石英支架、為石墨烯等材料的生長(cháng)提供潔凈環(huán)境; 3、爐膛采用進(jìn)口高純氧化鋁多晶體纖維,不易掉粉、壽命長(cháng)且保溫性能好。加熱絲采用優(yōu)質(zhì)摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲,溫場(chǎng)均勻,能耗低; 4、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì),配水冷套,可連續長(cháng)時(shí)間工作; 5、氣路系統采用兩路質(zhì)量流量計(可拓展多路),配預混系統; 6、氣體種類(lèi): He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;
7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過(guò)PLC控制,通過(guò)PC實(shí)時(shí)控制和顯示相關(guān)的實(shí)驗參數,自動(dòng)保存實(shí)驗參數,也可采用手動(dòng)控制;
8、系統采用集成化設計,控制系統、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內置在箱體內部,占地面積小。整體安裝四個(gè)可移動(dòng)輪子,方便整體移動(dòng)。
三、技術(shù)參數
型號 | HTF1200-2.5/20-2F-LV | HTF1200-5/20-4F-HV | HTF1200-6/40-2M-LV | HTF1200-8/40-4M-HV |
設計溫度(℃) | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
控溫精度(℃) | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 |
加熱區直徑(mm) | 25 | 50 | 60 | 80 |
加熱區長(cháng)度(mm) | 200 | 200 | 400 | 400 |
加熱管長(cháng)度(mm) | 450 | 450 | 1000 | 1000 |
恒溫區長(cháng)度(mm) | 80 | 80 | 150 | 150 |
額定電壓(V) | 220 | 220 | 220 | 220 |
額定功率(KVA) | 1.2 | 1.2 | 3 | 3 |
真空機組 | HTF-101 | HTF-103 | HTF-101 | HTF-103 |
供氣系統 | HTF-2F | HTF-4F | HTF-2M | HTF-4M |
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